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热蒸发GT450-S12
膜厚参数：膜厚均匀性 ≥95%
腔体尺寸：450*450*600mm
真空系统：低温泵（国产/进口）
极限真空：3*10 -5Pa
蒸发源：4-12组蒸发源
基片尺寸： ≤156×156mm (加热/水冷）
软件：半自动与全自动软件控制
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磁控溅射+进样腔GT400-Y2-4
膜厚参数：膜厚均匀性 ≥95%
腔体尺寸：400*400*500mm
真空系统：分子泵（国产/进口）
极限真空：3*10 -5Pa
真空靶：≤3寸，2-4个（国产/进口）
基片尺寸： ≤6寸 (加热/水冷）
软件：半自动与全自动软件控制
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磁控热蒸发集成GT600-Y2-S6
膜厚参数：膜厚均匀性 ≥95%
蒸发腔体尺寸：600*600*660mm
磁控腔体尺寸：600*600*550mm
真空系统：分子泵（国产/进口）
热发腔体极限真空：3*10 -5Pa
磁控腔体极限真空：5*10 -5Pa
蒸发源：2-16组蒸发源（束源、舟源）
真空靶：3-6寸，2-3个（国产/进口）
基片尺寸：可定制，可选择加热或水冷功能
软件：半自动与全自动软件控制，带有一键自动镀膜工艺
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热蒸发GT600-S8-4
适用材料：CsBr,PbBr2,PbI2等
膜厚参数：膜厚均匀性 ≥95%
腔体尺寸：600*600*660mm
真空系统：低温泵（国产/进口）+干泵
极限真空：3*10 -5Pa
蒸发源：4组低温束源5-20CC(600℃，800℃)，4组舟源
电源：低功率进口电源，精度0.1A
基片尺寸：≤210×210mm（加热/水冷）
软件：半自动与全自动软件控制，带有一键自动镀膜工艺
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GT600-多功能样品处理系统
系统应用：RPD Eth/PWCVD
腔体尺寸：Φ600*380mm
样品台尺寸：100-400mm
样品台升降：0-200mm
真空系统：分子泵/干泵（国产/进口）
空压精度：±0.01Torr
软件：半自动与全自动软件控制
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高通量设备
集成上下料腔、传输腔和多工艺腔的紧凑型镀膜系统。
支持PC/PLC控制工艺配方，可用于单件、批量或自动化生产，可轻松创建与修改复杂工艺配方。
支持热蒸发、磁控溅射、电子束蒸发等工艺集成。
先进的数据记录与过程追踪功能，确保工艺稳定、可重复。
高分辨率控制实现优异的低速率稳定性与稳定的掺杂比例。
中央控制台统一管理各模块，并调度各腔室工艺进程。
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高通量设备
基板尺寸：150×150mm或tray盘模式
进样腔基板数量：10pcs
蒸镀腔数量:GT450x2台(加热/水冷可选)
传输腔:配真空机械手
软件:全自动软件控制
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蒸镀设备G1 OLED
基板尺寸：200mmx200mm
应用领域：AMOLED
有机均匀性≤2%(片内、片间)
金属均匀性：≤2%(片内、片间)
机械对位精度：±0.15mm
有机蒸发源：8pcs/chamber
金属蒸发源：4pcs/chamber
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钙钛矿中试蒸镀设备
基板规格：0.6mx1.2m
产能：100MW~150MW
蒸发源形式：线源+点线源
膜厚均匀性：≤±5%
速率稳定性:≤±5%
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